Wema PFA tɔn lɛ

Nǔ e è nɔ zán ɖò tɔ̀ jí lɛ é: DuPont PFA sín atínkɛ́n (USA), ee è bló ɖò azɔ̌kplɔnmɛ e mɛ́ é ɖé mɛ é, bo na dó sixu bló bɔ wema e mɛ è nɔ bló nǔ dó é na nɔ mimɛ̌ jí tawun (é sɔgbe xá nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ semiconductor-grade lɛ é).
Process: RANA nɔ bló ɖò 9 000㎡ PPB/PPT{{2}level mɛ bo nɔ yí gbè nú "hot{3}}press sín tuto ɔ bo nɔ bló bɔ è nɔ bló nǔ lɛ ɖó kpɔ́, bo nɔ nyì alɔ nú nǔ e nɔ hɛn nǔ kwiji lɛ é ɖò nǔɖiɖó lɛ hwenu, lobo nɔ lɛ́ bló bɔ è nɔ hɛn nǔ e ɖò wěma ɔ mɛ lɛ é ɖó mimɛ̌ jí.

Core: "Mimɛ́ ɖaxó + hlɔnhlɔn ɖaxó e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu é" sín wuntun PFA tɔn lɛ nɔ zɔ́n bɔ é nɔ nyí nǔ e è yí wǎn na hugǎn é nú nǔ e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu é, bo nɔ nyì alɔ nú nǔ e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu lɛ é (kpɔ́ndéwú ɔ, électronique{4}}grade hydrogène peroxyde) bo nɔ lɛ́ bló bɔ nǔ e è nɔ bló ɖò dò é nɔ hɛn lè wá.
Nukɔnyiyi: SMIC e è jlaɖó é ɔ, ion gan tɔn ɔ hwe hú 0,05ppb hwenu e è hɛn hydrogène peroxyde (emprimétique 0.1ppb), kpodo hlɔnhlɔn e nɔ hɛn jɔhɔn ɔ ɖó te é kpo -200 degrés jɛ 260 degré . Ðó é nyí hagbɛ̌ gbɛ̌ta azɔ̌xwé e nɔ kpé nukún dó azɔ̌xwé lɛ wu ɖò Chine é tɔn wutu ɔ, nǔ e è bló é yí kúnnuɖewema syɛnsyɛn e SMIC, BOE kpo azɔ̌xwé ɖevo lɛ kpo na é.

É ɖò mɔ̌ có, è nɔ zán nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ semiconductor é ({0}}purity sín nǔ e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu lɛ é ({3}}grés de l’accident hydrofluorique de l’accidés) kpo nǔ e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu lɛ é kpo (kpɔ́ndéwú ɔ, nǔ e nɔ hɛn nǔ e nɔ hɛn nǔ gblé dó mɛ wu lɛ é ɖó é) e nɔ byɔ ɖɔ è ni klɔ́ nǔ lɛ ganji é kpo mimɛ̌jininɔ ɖaxó ɖé kpo. É d’alɔ axisinɔ lɛ bɔ ye bló bɔ è nɔ mɔ nǔ jɛ nǔ e è nɔ ylɔ ɖɔ chip é wu ganji (kpɔ́ndéwú ɔ, 12-inch wafer ɔ fɔ́n bo ɖò jijɛji wɛ 2%), bo lɛ́ ɖè nǔ e è nɔ hɛn gblé ɖó nǔ kwijikwiji lɛ wu lɛ é kpò.

Tags zozo: PFA sín wema lɛ, China PFA sín wema lɛ, nǔsatɔ́ lɛ, azɔ̌xwé lɛ